深圳市南北行电子发展有限公司

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:52 nC

小工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.2 W

配置:Single

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD18502Q5B

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 小值:143 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:5.3 ns

单位重量:105.300 mg